“研究人员惊喜发现半导体材料的新功能”

随着计算机和手机的数字电路越来越小，解决器的工作速度越来越快，限制越来越高，全世界的科学家都在努力扩展或超越目前被称为互补金属氧化物半导体或cmos技术的技术。

在2019年7月发表于“物理研究报告”的研究副本上，科学家们说明了如何制作附加了重要功能的金属氧化物- cmos的mo。 新的金属氧化物不仅可以简单地用作切断cmos晶体管开关的无源元件，而且可以完全激活电流的流动。 这个发现有助于某一天，将计算推进到被称为超过cmos的时代。

氧化物材料会在附近的纯非掺杂硅(电子领域的主要半导体)中产生电流。 硅中的电导率发生在原子层厚度只有9个的非常薄的区域。 需要层叠相当于人头发宽度的100，000层这样的层。

这种在硅中感应电流的能力，标志着向以前被认为有有限价值的材料迈出了一大步。 绝缘体的开关任务执行得很好，但没有考虑到所有晶体管依赖的重要电流产生能力。

能源部( doe )太平洋地区的作者之一、科学家斯科特·钱伯斯( scott chambers )表示，氧化物长期以来只作为半导体器件的被动元素，但也能成为活性元素是一个崭新而有趣的事实。 西北国家实验室。

半导体测量不一致

结果，在pnnl、德克萨斯大学( ut )阿林顿分校和其他地方从事这项工作的科学家们花了几个月的时间试图了解他们可能犯的错误，并通过一系列测试确认了意想不到的结果。

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