“研究人员创建的非易失性存储器的速度与DRAM一样快”

英国兰开斯特大学的研究人员成功地以与dram相同的速度制作了非易失性闪存，但只消耗了现代nand或dram存储器位写入所需的能量的1%。 数据的。 据《电子周刊》报道，该存储器被称为uk iii-v存储器。

用20nm光刻工艺构筑的栅电极，所需的功耗约是-17焦耳的10倍。 uk iii-v存储器的晶体管处于典型的截止状态，给栅极充电时消耗约5ns的电力，耗尽时消耗3ns的电力。 两者都是非常大的数字。 如果通过控制器将这些数字添加到产品中，这些数字可能会高一些，但这是一种权衡选择，以获得效率。

单晶体管的开发还处于快速发展阶段。 因为要将其转化为成熟的商用产品还有很长的路要走。 但是，为了与dram竞争而构筑具有这样的效率和速度的非易失性存储器是相当大的成果。 该通道利用了in(ga ) as和gasb的[ⅲ型]波段的异常序列，其中inas的传导带低于gasb的价带，首席研究员manus hayne教授在电子周刊上表示。

这意味着即使在未掺杂电子的情况下，电子也从gasb的整个价带流向inas通道的传导带。 以前是这样的情况，这里缩小了in(ga ) as通道。 这是为了限制沟道状态的能量上升到gasb价带的正上方。 这是因为，只要不施加适当的电压，就不会被占用，始终处于截止状态。 这样，读数就像闪光灯一样，需要提供优异的读数1 -0。 此外，还必须与以前的设备保持清晰的连接，并且可以使用完全可寻址的阵列进行连接。

我对拥有和dram一样快的非易失性存储器感兴趣。 这是因为可以用于构建pc。 这些pc可以在系统完全关闭时维护当前存储在ram中的数据。 这是因为可以从上次中断的地方很快恢复到完全的状态。 这样可以消除对睡眠状态的需求，在空空闲时系统可以关闭ram，从而进一步降低功耗。

可能的问题是，uk iii-v内存是否能够解决一般重复发生的对dram的改写。 如果磨损是问题的话，有可能会破坏采用非易失性ram的计算机的梦想。

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