“美光企业为96层3D NAND开放Fab 10扩展”

随着盛大的开幕式，美光企业上周在新加坡开设了最新的3d nand工厂。 这是位于新加坡的美光第三大工厂，除了fab 10n和fab 10x外，还生产大部分闪存输出。 扩展功能支持今后发售的96层3d nand以后的版本。

对于每月的晶片生产，美国光伏企业预计新的扩张不会增加新的晶片生产能力。 要理解这些，就值得认识到3d nand路线图从根本上改变了以前流传下来的半导体定标的概念。

内存(闪存、dram、逻辑)晶体管)以前流传的缩放包括减小特征尺寸，提高密度，最终增加芯片容量。 另一方面，3d nand缩放以更缓和的进程节点开始，但在z维中扩展。 最初的24层和32层，现在最先进的3d nand技术正在迅速发展到96层和更高的层。

但是，增加层数不是免费午餐。 缓和节点降低了光刻在“与非”中的重要性，但随着蚀刻等其他工序变得更加重要，晶片的循环时间随着层数的增加而增加。 由于企业选择将制造过程分割为多个堆栈，进一步提高了周期时间。 例如，每个堆栈有32层。

因此，为了在转移到更高级的工艺之后维持晶片的输出，显然需要增加制造设备机器的数量，需要增加洁净室空之间。 美国光科技表示，新的扩张将使企业转向更先进的节点，例如即将上市的96层高的技术，预计今年下半年将首次投产。 没有提供关于扩张的财务指标。

得到imflashtechnologies(imft )协助的美光和英特尔处于分裂阶段。 两家公司年初宣布，第三代( 96l )以后将停止共同开发3d nand。 这些企业的3d nand目前基于2d nand常见的相同浮栅技术，东芝和三星采用了被称为电荷捕获的另一种选择。 美国光伏企业表示，将转向第四代充电陷阱。

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