“东芝会谈5比特每单元闪存演示首款PCIe 4.0公司级固态硬盘”

东芝在今年的闪存峰会上取得了相当大的进展。 除了公司新的xfmexpress外形规格的喧嚣之外，还赢得了best of show，并展示了许多其他主要的存储技术。

通过新的pcie 4.0 nvme ssd，我们推出了具有xl-flash存储级别的内存( scm )和本机nvmeoverfabric ( NVME-of )兴趣的以太网ssd。 东芝使用的是pcie 4.0和新的存储技术。 在展览会上，还提到了包括5层单元( plc ) nand开发在内的未来的bics flash。

东芝已经开始计划第五代到第七代的bics flash。 各代都符合新一代的pcie标准，从bics 5开始很快就与pcie 4.0一起上市，但该公司还没有提供具体的时间表。 bics5具有1，200 mt /秒的更高带宽，bics6可以达到1，600 mt /秒，bics7可以达到2，000 mt /秒。

该企业还开始研究五层单元( plc ) nand闪存，通过修订目前的qlc nand，实际验证了每单元5位数的nand。 新的闪存不仅可以在当前的qlc中存储4位，还可以在每个单元中存储5位，提供了高密度。 但是，要实现这一点，电池必须能够存储32个不同的电压电平，ssd控制器必须正确读取它们。 由于如此多的电压电平可以进行纳米级的读取和写入，所以新技术非常困难。 为了管理更严格的阈值，企业需要开发适应当前tlc和qlc并提高性能的附加流程。

虽然qlc慢了很多，但是比其他类型的闪光灯的耐久性要低。 plc的耐久性低，性能慢。 但是，新的nvme协议功能，如区域名称空之间( zns )，应该有助于缓解特定的问题。 zns本身的目的是减少写入的扩大，减少媒体的过度配置和内部控制器对采用dram的诉求，当然也可以提高吞吐量和延迟。

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