“GlobalFoundries的12LP+12nm节点可提供10nm级的功率和性能”

全球基金( GF )周二发布了被称为12lp + )的12lp + )平台的新功能。 该公司声称性能将大幅提高，但电力和面积将减少。 也包括低压sram位单元。

全球基金( GF )想通过7纳米的功能和性能获得更多的利益，但在12lp平台的价格上更便宜。 逻辑晶体管的密度也提高了15%。

根据gf的说法，更具体地说，12lp + finfet工艺与底层12lp平台相比，性能提高了20%，功耗减少了40% (本身在16 / 14nm下提高了10%，在逻辑领域的定标中提高了15%， 这与台湾积体电路制造比较7纳米的工艺和16纳米时主张的改善量相同(虽然台湾积体电路制造在达到7纳米之前也有10纳米)。

在一份声明中，gf提到了新技术与7nm相比，价格更低。 作为先进的12纳米技术，我们的12lp +处理方案已经为用户提供了大部分想从7纳米工艺中获得的性能和功耗特点，但他们的nre (非典型工程)价格平均只有一半，可以节省很多。

另一个新功能是0.5v sram单元，gf具有高速和低功耗的特点，主张可以用于存储和解决方案之间的数据重组，如人工智能( ai )应用程序。 关于ai应用，gf提供设计参考软件包和设计技术联合开发( dtco )服务。 还有用于2.5d封装的新转接板，可促进高带宽存储( hbm )。 最后，该公司宣布，arm已经为ai应用开发了artisan物理ip和pop ip，它们也可以用于12lp。

globalfoundries表示以ai和云芯片为目标，已经有很多顾客。 年内发售磁带，预定2021年量产。

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