“三星研究人员找到了一种新的做法来制造自发射式QLED二极管”
发布时间：2021-05-31 08:24:02
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三星的研究者为了延长寿命和效率，找到了制造自发射qled二极管的新方法，但还不清楚
三星高级技术学院的两位研究员eunjoo jang博士和yu-ho won博士在《自然》杂志上发表了关于量子点( qd )技术新改进的论文。 研究人员指出，qled二极管采用磷化铟( inp )材料比避开有毒镉( cd )材料更环保，将二极管的寿命延长到100万小时。
为了随着最初的zync selenide壳变厚而蚀刻氧化inp核表面，需要导入氢氟酸。 壳的厚度防止能量传播，维持高发光效率。 为了改善电荷注入，最初表面上的配位体会被小的配位体代替。
采用inp的决策使理论最大外部量子效率提高到21.4%，最大亮度提高到100000 cd /m。 这些数字与基于镉的自发射qd-led的数字相同。
现在的qled显示屏采用的不是光源，而是无镉的qd。 被用作液晶显示器的薄膜，发出从背光吸收的光。
zdnet表示，三星发言人拒绝对自行发光qled显示器商业化发表评论。
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