“三星准备量产Flashbolt HBM2E DRAM”

高带宽内存( hbm )于年上市时，人们对其寄予厚望，但无法与当时流行的显卡gddr5内存竞争。 随着hbm2的到来，这种情况发生了迅速的变化。 现在，三星在第一代hbm上市5年后，率先宣布了第三代hbm2e存储器的量产。 三星在3月的nvidia gtc活动上首次发布了flashbolt，该产品将于年上半年量产。

通过堆叠dram芯片，hbm通常可以提供更大的存储带宽，如flashbolt的024位总线所示。 结果，小封装可以实现高带宽。 这有助于集成到gpu芯片本身，可以节省显卡在印刷电路板上的宝贵空之间。

自3月份首次发布flashbolt以来，三星没有更改规格，包括8个相互堆叠的16 gb裸芯片，以创建16 gb的内存堆栈。

在3，200 MHz下，flashbolt通过1，024位内存接口提供410 gbps的内存传输速度。 尽管如此，三星已经测试了内存，使其能够以最高4，200 MHz的频率工作，带宽一直达到538 gbps的巨大速度。 这表明hbm2e有巨大超频的可能性。

与之相比，三星上一代的hbm2存储aquabolt总容量为8gb，以2，400 MHz的频率工作，各堆栈的最大带宽为307.2 gbps。

采用的dram被确立为10nm光刻技术，该封装采用了40，000个勾结硅的via(tsv )。 8个16gb芯片中每一个都有5600个微凸块。

三星内存销售和市场执行副总裁cheol choi表示，随着目前市场上性能最高的dram的推出，为加强其在快速增长的高端内存市场的领先地位迈出了重要的一步。 在今天的公告所附的声明中。 随着我们巩固在全球存储市场的特点，三星将继续兑现带来真正差异化处理方案的承诺。

虽然hbm2e内存不会马上与昂贵的产品进行比较，但最终可能会面向少数客户，就像amdradeonVII(16GB )有两个hbm2堆栈一样。 但是，hbm2e的首要目标是高性能计算( hpc )和超级计算机。

考虑到这个发布时间，nvidia新一代hpc tesla tesla gpu配备了闪存就不足为奇了。 据悉，为了等待从继任者到基于volta的tesla v100gpu的性能提高70-75%，印第安纳大学推迟了在超级计算机上安装gpu。 这个被称为tesla a100的继承人基于ampere体系结构，该体系结构将在3月23日的gtc主题演讲中发表。

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