“GlobalFoundries eMRAM存储有望取代物联网中的嵌入式闪存”
随着物联网( iot )的快速增长，客户最终希望这些设备运行的硬件更强大。 全球基金公司希望在存储方面解决这一问题，今天宣布EMRAM(emram )已在22纳米平台22fdx上生产。
globalfoundries emram旨在通过提供更高的性能、可靠性和功耗，来替换老化的nor闪存(多台设备上采用的嵌入式闪存)。 此外，还将与人工智能( ai )、自动驾驶车和其他新型微控制器用途进行比较。 虽然globalfoundries并未表明将使用emram的特定产品，但他与众多客户合作，计划每年进行大量的生产业务。
据说新的emram非常健壮，能够在保持数据在-40到125的温度范围内的同时，承受100，000个循环。 这是因为数据可以保存10年。
这些数字远远高于目前ssd的nand存储器中提供的数字，但emram无法取代nand。 相反，可以以存储系统代码的设备中的nor闪存( eflash )为目标，定期更新或用日志记录复盖。
我看到了特斯拉在闪存不够耐用时会发生什么。 这样的例子强调了在ai和自动驾驶车等应用中耐用的非易失性存储器的重要性。
写入速度的提高主要取决于技术的本质。 基于磁阻原理，写入存储材料不需要在写入必要的数据之前进行擦除循环，写入速度大幅提高。 宏容量为4-48mb，作为合作伙伴的嵌入式套件提供。
我们将继续致力于通过强大、功能丰富的处理方案使我们的fdx平台与众不同，从而帮助我们的客户为高性能和低功耗应用构建创新的产品。 汽车和工业多市场高级副总裁兼总经理mike hogan globalfoundries在声明中表示:
我们与众不同的emram部署在业界领先的fdx平台上，为易于集成的emram处理方案提供了高性能rf、低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合。 这为客户提供了新一代超高性能-低功耗mcu和连接的iot应用程序。
但是，全球基金并不是唯一从事emram的人。 三星大约一年前开始在28纳米平台批量生产emram，但英特尔正在研究一种叫做sst-mram的略有不同的技术。
全球基金目前正在与客户合作，将于年内开始交货。 22fdx emram的生产在德国德累斯顿的300nm fab 1进行。
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