“IBM z15几乎将缓存密度提高了一倍并具有960MiB L4 eDRAM”
据知名芯片分解网站wikichip报道，ibm在最近的isscc会议上详细介绍了其最新的z15大型机。 尽管在同一解决方案节点上制造，但edram的缓存密度是前任的两倍。 z15通过高密度的edram单元将l4缓存封装了约1gb。
wikichip概述了这些更改。 z15有122亿个晶体管，比z14封装的晶体管多25亿个，但芯片尺寸仍为696mm2。 这将l4高速缓存从672mib升级到960mib。 即使使用与全球基金组织共同开发的soi工艺上的定制14nm finfet，工艺节点也不会发生变化。
该工艺具有超高密度的edram单元。 单元尺寸为0.0174 m，比台湾积体电路制造最密集的5nm sram位单元0.021 m更密集。 这并不奇怪，因为sram与dram的一个晶体管和一个电容器相比，通常采用六个晶体管。
更令人惊讶的是，密度几乎是z14以前电池密度的两倍，芯片尺寸不变。 正如维基解密师david schor所言:
迄今为止，我们发现14纳米节点非常好，位线和字线的开销容限也很好。 修补z14单元，可以在这些边界内将位线和字线的长度增加一倍。
这样可以使用2mib而不是1mib的数据块，将子阵列的数量减半为8个。 这样可以减少i / o开销，从而增加30%的密度。 根据wikichip的说法，电源传输的一些变化再占38%，比较有效的缓存密度的整体提高是mib / mm2的高度80%。
l1和l2缓存由sram单元组成，以5.2ghz的频率运行，l3和l4 edram缓存以2.6ghz的频率运行。
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