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“英特尔发布了几条有关其Optane持久存储以及NAND闪存容量的公告”

发布时间:2021-06-23 22:15:01 阅读次数:

上周在首尔举行的2019年存储和储存日,英特尔发布了几个关于optane永久存储和nand闪存容量的公告。

optane是intel的新型非易失性存储器,拥有固态硬盘( ssd )的存储容量,但速度与dram基本相同。 位于内存和存储器之间,作为大规模的高速缓存。 虽然也有使用pci express卡的设计,但插入主板的dram内存条是首要设计。 他们花了钱。 512gb optane记忆棒可带来8,000美元的利润。

“英特尔发布了几条有关其Optane持久存储以及NAND闪存容量的公告”

英特尔发布了代号为alder stream的新一代开放内存。 该内存的故障率比3d nand低50倍,与目前市场上现有的optane相比,每秒传输次数增加了3倍。

目前,optane仅适用于最新服务器芯片的第二代英特尔至强可扩展解决方案。 但是,在展览会幻灯片上,英特尔推出了用于高端办公地点的optane dcpmm。 该解决方案在工作地点采用的酷睿i9和至强CPU上运行。 有一种至强解决方案,主要是为cad和其他高性能工程行业中采用的事务所设计的,即e5系列。

“英特尔发布了几条有关其Optane持久存储以及NAND闪存容量的公告”

optane在三种模式下工作。 app direct模式,该模式用作永久存储器。 用作dram的存储器模式; 和混合模式。 在这两种用例中,内存的一部分都是分区的。 在app direct模式下,这大大加快了对磁盘的写入速度。 这是因为使用固态硬盘作为启动驱动器的办公室消失了,从而提高了应用程序的性能。

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四级和五级ssd单元

该企业还将在展览会上展示新的96层4级单元( qlc )驱动器,该驱动器将于本季度投入生产,预计明年上市。 qlc驱动器的每个单元有4个内存位,大多数ssd的每个单元有3个内存位。

英特尔已将qlc驱动器推向市场,但没有停留在这里。 发布了5级单元( plc )。 每个单元有五个位,预计明年发售。 他们需要做一点严肃的工程魔术。 qlc的缺点之一是采用寿命短。 三层单元( tlc )的寿命为3,000次至5,000次写入。 之后,细胞分解,最终变得无用。 1个qlc单元的寿命只有1,000次。 这是因为i / o负载较高时,死亡速度会加快。

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英特尔也在增加层次。 当晶体管被禁止二维分布时,存储器制造商转移到了堆栈上。 这正是那个名字的意思。 存储层叠得像薄饼一样。 英特尔的qlc驱动器有96层内存,从明年开始将达到144层。 剩下的dram领域的目标是128层。

毫无疑问,optane是英特尔的首要竞争力,amd没有答案。 amd拥有核心和性能领导者,这种差距要简单得多。 如果amd和micron合作做出竞争性应对,我不惊讶,但这绝非一朝一夕的事件。

闪存更可疑。 由于qlc的写入限制低,所以还不想销售qlc的可行性。 超大数据中心运营商可能对硬件故障有很高的容忍度,但公司没有。 另外,几个月后我不愿意更换固态硬盘。 在确信qlc和plc的可行性之前,需要一点认真的基准。

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