“Kioxia Corporation宣布推出第五代BiCS Flash”

业界领先的存储器处理方案KIO Xia公司宣布，成功开发了具有112层垂直堆栈结构的第五代bics闪存( 3d )闪存。 kioxia计划在今年第一季度发售该新设备的样本，该设备具有64GB(512GB )的容量，同时每单元3位)或TLC ( TLC )技术将用于特定的应用。

kioxia公司宣布开发了使用112层垂直堆栈结构的第五代bics flash 3d存储。

该新设备旨在满足各种应用的发展诉求，包括以前流传的移动设备、客户和公司的ssd、新的4g通信网络支持的新应用、人工智能和自动驾驶汽车等 kioxia计划将这一新一代(第五代)解决方案技术应用于1兆位或128千兆位等更大的设备以及1.33兆位的每单元4位)或4级单元、qlc ( QLC )设备。

这112层层压工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，比96层层压工艺提高了约20%的电池阵列密度。 新技术降低了价格，提高了各硅片存储容量的制造性； 这项新技术还可以将接口速度提高50%，提高编程性能，减少读取延迟。

bics flash的这一代产品是与技术和制造伙伴western digital corporation共同开发的，将在kioxia的yokkaichi工厂和新成立的kitakami工厂生产。

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kioxia是存储处理计划的全球领导者，kioxia致力于闪存、固态硬盘( ssd )的开发、生产和销售。 年，kioxia的前身toshiba memory从东芝企业( toshiba corporation )分离出来，1987年发明了nand闪存。 kioxia致力于通过提供产品、服务和系统，为人们提供选择的产品，从而提升存储世界。 基于顾客和记忆的社会价值。 kioxia创新的3d闪存技术bics flash是kioxia开发和宣传的存储器。 结果，bics flash塑造了存储在高密度应用程序中的未来。 其中包括快速发展的高端智能手机、pc、ssd和数据中心。

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