“三星3D堆叠12层HBM2E芯片现在容量为24GB”
发布时间：2021-06-11 08:42:01
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这个hbm2e标准—相关的显卡、服务器、高性能计算和多点—最高24gb和每堆内存带宽307 gbps和三星已经准备好履行这个承诺。 这家大型韩国今天宣布，开发了业界首款12层3d-tsv芯片封装技术。 这样，该公司就可以生产24gb hbm2e (扩展型第2代高带宽存储)芯片。
三星全新的12层3d-tsv (直通硅偏压)技术，企业基本上最多可以堆叠12个dram芯片，保存720微米的厚度，与企业品牌目前的8层hbm2处理方式相同。 对制造商来说，这是个好消息，因为他们可以使用更大容量的芯片而无需更改配置设计。 三星表示，这12个dram芯片以3d配置垂直互联，这3d配置包含60，000多个tsv孔洞，其厚度为人毛束厚度的1/20。
增加4层后，三星在一个封装中最多可以存储24gb的内存，这是现有8gb hbm2产品容量的3倍。 该企业的12层3d-tsv技术不仅为更大容量的hbm芯片开辟了道路，而且传输时间短、功耗低，从而提高了性能。
三星将在短期内开始批量生产24gb hbm2e产品。 因此，如果即将上市的高端显卡开始使用三星的新产品，我们不会感到惊讶。
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