“台积电启动195亿美元的3nm晶圆厂建设”

台湾积体电路制造已经开始建设那个3nm晶片制造商，计划2023年开始生产。 这家台湾的合同芯片制造商已经购买了30公顷的土地用于这个设施。

这片土地位于台湾南部的科技园区，台湾积体电路制造已经在这个地区雇佣了10，000多名员工，但没有其他很多细节。 这个位置与台湾积体电路制造全年的公开一致，同时与5nm生产所确保的面积相同。 据报道，该晶片制造商年首次公布期间，台湾积体电路制造需要50至80公顷的土地，将于2022年开始。

去年有消息称tmsc已获准投产，估计价格为195亿美元，预计2022年底或2023年初投产。 今年年初，tsmc首席执行官cc wei表示，3纳米的开发工作进展顺利，该公司与早期客户就技术定义进行了对话。

台湾积体电路制造目前正在努力在年上半年实现其5nm工艺节点的批量生产。 年初，台湾积体电路制造fab 18晶圆厂破土开工，用于5nm生产。 fab 18面积42公顷，洁净室面积160，000平方米，到2021年所有三个阶段完成时，每月可生产100万个以上的晶片，为4，000人提供工作。

报告的2023年3nm量产时间表值得观察。 因为年末以来，台湾积体电路制造选择了所有节点最多两年的节奏。 总结一下，虽然台湾积体电路制造最多减少了两倍的密度，选择了更稳定的节奏，但英特尔说出了超过10纳米的话，表现出了雄心勃勃的10纳米2.7倍的比例和14纳米2.5倍的比例。

英特尔周四宣布，目标是至少在以下几个节点恢复两年的速度，预计2021年第四季度将发布7纳米工艺，其数据中心将使用带有foveros 3d封装的gp-gpu。 这可能标志着英特尔5纳米和台湾积体电路制造3纳米节点将于2023年实现全面竞争。 虽然不清楚这两个流程的详细情况，但英特尔声称正在重新获得流程领导者的地位。

三星计划2021年基于全能门( gaa )技术开始独自生产3nm，但其密度不及台湾积体电路制造的3nm。 (对三星来说，5nm是其7nm节点的优化。 ）

本月初，由于诉求旺盛，台湾积体电路制造( tsmc )将2019年的资本支出指导从40亿美元大幅增加到14-15亿美元。 英特尔还将对资本进行大量投资，预计2019年将投资160亿美元。 英特尔周四宣布，计划2019年将生产能力在月度晶片生产中提高25%，每年提高25%。

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