“Imec制造超越硅的MoS2 2D晶体管”

imec用2d材料mos2制造了纳米级晶体管。 他们证实了理论发现，展示了令人鼓舞的性能。 这样的晶体管有可能取代现在的finfet，继续缩小晶体管的规模。

mos2(完全为二硫化钼)是多种二维) 2d )半导体材料之一。 其厚度仅为3个0.6nm原子单层。 在ieee的年度国际电子设备会议( iedm )上，比利时微电子研究机构imec对大规模基于mos2的晶体管进行了深入研究。

imec表示，研究结果证实了2d材料在超大规模晶体管中具有高性能的逻辑和存储器潜力。 理论研究表明，与硅沟道晶体管相比，二维材料几乎没有短沟道效应。 制造的器件在很大程度上基于tcad模拟执行。 虽然这些还没有达到现代硅器件的水平，但据imec称，他们看到了进一步改善的途径，如减少缺陷、各晶体管采用两个栅电极、进一步减少hfo2氧化物的厚度等。

imec制设备的通道长度为30nm。 据报道，接触间隔小于50nm，同时接触本身长度为13nm。 为了比较，英特尔的10纳米工艺具有18纳米的沟道长度和54n米的接触间距。 最高性能的器件具有4nm hfo2高k电介质。 imec还测试了8纳米、12纳米和50n米的SiO2器件。 亚阈值的斜率低至80mv / dec，与初期的finfet相似。

虽然与si晶体管位数不同，但我们已经将mosfet器件带入了行业，它们在未来的逻辑和存储器应用中显示出了令人鼓舞的性能。 为了填补这个数量级，我们明确了系统改善的途径，如进一步降低栅极氧化层的厚度，实施双栅极架构，进一步减少通道和界面缺陷等。 我们正在把这个见解转移到我们的2d材料晶体管的300mm晶片平台上。 这个平台是在去年的iedm上发表的。

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